未来高压变频调速技术将在以下八个方面得到发展，其主要表现为：首先，高压变频器将朝着大功率，小型化，轻型化的方向发展。其次，高压变频器将向着直接器件高压和多重叠加（器件串联和单元串联）两个方向发展。此外，更高电压、更大电流的新型电力半导体器件将应用在高压变频器中。

此阶段，IGBT、IGCT、SGCT仍将扮演着主要的角色，而SCR、GTO则会退出变频器市场。同时，无速度传感器的矢量控制、磁通控制和直接转矩控制等技术的应用将趋于成熟。这意味着全面实现数字化和自动化：参数自设定技术；过程自优化技术；故障自诊断技术。

为了实现这些目标，我们需要应用32位MCU、DSP及ASIC等器件，以便实现变频器的高精度，多功能。此外，相关配套行业正朝着专业化，规模化发展，社会分工将更加明显。