安世与三菱电机将共同开发SiC功率半导体推动常用电子元器件的未来发展吗

在11月,日本三菱电机与荷兰安世半导体(Nexperia)宣布,将携手合作开发高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立产品功率半导体。通过这次合作,双方将共同推动SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度,同时满足市场对高效分立式功率半导体快速增长的需求。尽管目前芯片供应量尚未确认,但预计最早将于2023年内开始供应。

公开消息显示,安世半导体总部位于荷兰,并且是中国闻泰科技的子公司。就在11月初,安世半导体转手出售其于2021年收购的英国NWF晶圆厂。这次出售标志着安世半导体加强了其在全球晶圆制造领域的地位。

尽管三菱电机和安世半导体都是专注于功率 半导体领域,但它们侧重点不同。在元器件开发、生产和认证方面,安世半導體拥有数十年的经验,现在同时提供高质量的宽禁带器件。而三菱电机以“多个离散元件组合起来”的功率 半導體为中心,其SiC模块产品性能可靠,在业界享有盛誉。

Mark Roeloffzen,作为安世半導體双极性分立器件业务部资深副总裁兼总经理,对此次合作表示:“与三菱電機建立共赢的战略合作伙伴关系,不仅标志着Nexperia在碳化硅技术领域取得了重大进展,而且两家公司之间产生积极协同效应,最终帮助客户提供高能效产品。”

Masayoshi Takemi博士作为三菱電機半導體與器件部执行官兼集团总裁,也对此次合作表示热情:“Nexperia是行业领军企业,在高品质分立Halfedarfield中拥有成熟技术。我们很荣幸能够与他们达成联手开发协议,从而充分利用两家公司的Halfedarfield技术。”

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