一、指针式万用表对场效应管的判别

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

通过场效应管PN结正反向电阻值不同之现象，能辨识出结型场效应管三种电极。具体方法：

将万用表拨至R×1k档上，任选两根电极分别测量其正反向电阻值。当某两根电极正反向电阻相等且为几千欧时，则该二根为漏极D和源极S。

也可将万用表黑笔任意接触一个端子，一只红笔依次接触其余两个端子，测量其每个端子的正常工作点，当出现两次测试均近似相等时，则黑笔所接触端为栅极，其余二端分别为漏及源。

若两次测试均很大则是PN结逆侧，即都是逆向引流，可判定为N沟道FET；若两次测试均小则是正向PN结，即正向引流，可判定P沟道FET。

（2）用感性信号输入法估计放大能力

方法一：首先，将万用表置于R×10或R×100档，测量漏-源之间的正常工作点，如在手册中标明的范围内，如果超出范围可能表示内部连接不良或断路；然后设置R×10k档，再测G-S-G间各项正常工作点，当所有项均无穷大时说明正常；若发现有项小或短路则说明坏了。

方法二：使用感性信号输人法估计放大能力。将万用表设在R×100档，将红笔接到S上，黑笔接到D上，用加压方式增加栅极G上的感性信号，这样由于增强作用漏-源间VDS和Ib都会发生变化，也就是说会改变漏-源间的负载看起来像是在动态变化，可以观察到指针的大幅度摆动。如果摆动较小则放大能力差；摆动较多则放大能力好；如果完全静止则坏了。根据这个方法，我们可以判断3DJ2F是否是好的并且具有较大的放大能力。

（3）无标志MOSFET检测

首先找到有阻值的一对脚，即SD，然后再换一次来确认哪边更高。一旦确定SD后，就可以通过其他方法来确定G1和G2位置，从而知道了全部四个脚位置。

（4）跨导大小判断

对于VMOS N沟道增强型FET，在进行跨导性能测试时，可以直接将红笔放在S上、黑笔放在D上，此时相当于在S-D之间加了一定的反方向压力。此时栅極開路的情况下，不稳定的反方向電阻值随着手按住G時有显著變化，大变化代表較高跨導，小变化代表較低跨導.

二、場效應管使用注意事項

(1) 为了安全使用場效應管，在線路設計中不能超過它們的耗散功率，以及最大漏源電壓、最大栅-源電壓與最大電流等參數限制.

(2) 各類場效應管在使用時，都要嚴格按照要求進行偏置連入電路，並遵守場效應管偏置極性的原則.

(3) MOS場效果器因輸入阻抗非常高，因此運輸與儲存時需要將輸出腳短路，以防止外來感應勢力擊穿栅極尤其要注意不要將MOS場效果器放在塑料盒內，而是要保存於金屬箱內並保持干燥以避免潮氣侵害

(4) 為了防止場效果器被擊穿，每個測試儀器以及工作台都必須確保良好的地面連接。在焊接過程中，要先焊底部固定點，再將整體元件連入主線後方始行取走

(5) 在安裝過程中，要避免靠近發熱元件並保持緊固以減少振動影響同時還要考慮足夠散熱系統以維持壽命

三、VMOS FET

VMOS FET 是继MOS之后新发展出来的一种高功率开关设备，它不仅继承了MOS输入障碍高度、高驱动当前微米级，还具备耐压高达1200V以上、工作当前可达数十安培甚至百安培之巨，同时拥有输人障碍远超108Ω，使得这种电子元件能够满足各种复杂应用需求。