华南师范大学物理学院教授徐小志团队与北京大学教授刘开辉合作，在低维单晶材料制造研究方面取得了重要的进展。他们实现了在绝缘衬底上单层单晶氮化硼、石墨烯材料的通用制备，这项工作发表于《自然-通讯》。高质量的单晶二维材料对于实现其电子和光电器件高端应用至关重要，但由于缺乏金属催化作用，单晶石墨烯与氮化硼在绝缘衬底上的制造一直是一个挑战。

研究组报道了一种原子尺度的类印章制造技术，能够在各种绝缘衬底上实现单晶单层氮化硼、石墨烯的通用制备。这一方法利用铜箔在预熔融状态下紧贴绝缘衬底，并将铜箔下表面的单晶氮化硼薄膜挤压到绝缘衬底上。实验结果显示，在该温度下，氮化硼和衬底之间的距离可以被压缩到原子量级（~0.3 nm），理论计算显示，当这种距离达到时，将产生非常强的相互吸引力，从而确保氮化硼薄膜完好无损。此外，该方法也适用于在各种基底上生长单晶石墨烯。

共同通讯作者徐小志表示，该研究工作将有可能促进直接在绝交流过后的二维材料全为单 crystals 的器件及其应用。该研究得到了国家重点研发计划课题、国家优秀青年科学基金、广东省杰出青年基金、广东省重点领域研发计划以及物理学一流学科建设经费等支持。曾凡凯、王然、魏文娅和冯佐是该论文共同第一作者，而华南师范大学是第一单位相关论文信息可访问https://www.nature.com/articles/s41467-023-42270-x