一、用万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源極可互換，剩下的電極肯定是栅極G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个電極，一只表笔依次去接觸其余兩個電極，測其電阻值。当出现两次測得的電阻值近似相等時，则黑表笔所接触的是栅極，其餘兩個電極分別為漏絕和來源絕。若兩次測出的電子路都很大，那麼說明是PN結的反向，即都是反向电子路，可以判定為N沟道場效果應器件；若兩次測出的電子路都很小，那麼說明是在正向PN結，即是正向电子路，可歸類為P沟道場效果應器件；黑表笔接的是栅绝。

（2）用测电子流法判断場效果應器件好坏 测电子流法是一種使用萬用計量儀器衡量場效果應器件之間電子流变化程度以判断其性能是否符合预期标准的手段。在進行這項檢查時，你需要將萬用計量儀設定在適當的小數位，以便能夠準確地讀取通過該點處於開關狀態下通過或被切斷的小信号振幅，這通常會涉及到對各種不同位置與大小之間不同的輸入偏置點進行調整，以便找到最佳工作點。

（3）通过感知信号输入法估计場效果應器件放大能力 通过测试设备来检查与分析MOSFET中的一些特性，这包括但不限于输出功率因数、最大输出功率以及输入与输出之间最大的差异。这项任务可能会要求操作者具备一定水平的人工技能，并且他们需要能够准确地识别并记录读数，同时要确保所有数据都能正确无误地存储下来。

二、一些关于使用场效应管的事项

(1) 在设计线路时，要确保不会超过字段晶体管最大耗散功率，以及最大漏-源压力限制，以及最大当前限制等参数。

(2) 不同类型的地面耦合元件在使用时，都必须严格遵守它们所需偏置配置规则，如端子连接顺序，对称性问题等。

(3) MOSFET由于它具有非常高输人阻抗，因此，在运输过程中，它们应该被包装成金属屏蔽盒，并保持短途程状态以防止外部干扰击穿。

(4) 要注意保护元件免受静磁干扰影响，而这可以通过实现良好的连接点之间物理隔离来实现，这样可以减少环境噪声对元件性能造成负面影响。

(5) 最后，还有一些重要的事情要记住，比如如何安全安装这些敏感组分以及如何处理它们，如果有必要的话，将它们放在适当位置以避免热传递问题。此外，当焊接任何组分时，最好尽可能避免使任何导线或其他结构紧贴到这些部件附近，因为这样做可能会导致热传导的问题，从而损害元件本身或者周围构建中的其他组分。

三、VMOS区域门控制晶体 管

VMOS区域门控制晶体 管简称VMOS-FET，它是一种特殊类型的地面耦合区MOSFET，由于它具有V形槽设计，使得这种开关更加强大且更耐久。此外，与其他类似的MOSFET相比，该晶体 管还提供了更低启动阈oltage，更高额定当前以及更高额定伏安特征，因此对于那些需要快速响应、高频操作以及较长寿命应用的情况来说，是非常理想选择。