在追求微电子产品日益精细化的趋势下，位置反馈技术如何成为现代光刻工艺中的关键？最新光栅系统与传统激光尺系统各自展现出怎样的优势与潜力呢？这些特性为机器设计师提供了多么巨大的灵活性，以至于他们能探索如何在性能不受影响的前提下最大限度减少光刻设备的占地面积。半导体制造中，光刻技术是如何通过沉积、曝光、显影和蚀刻步骤来构建微电子特征层的呢？

浸没式扫描光刻机内部有一个透镜系统，它使得通过掩模或中间掩模聚焦到半导体晶圆上。此外，还有一组密封元件，可将液体封入物镜和晶圆衬底之间，因为液体的折射率高于空气，因此可以获得更高分辨率和更小特征尺寸。在浸没扫描过程中，保持固定，而由于透镜倒置效应，需要沿相反方向运动，这要求精确位置反馈到控制致动器以实现高精度运动控制。

每次曝光时，每片掩模上的图案都能精确刻画到已经存在的蚀刻图形层上。这一步骤是制造集成电路（IC）的关键：晶圆和基准点自动对准，其误差范围小于±20nm，并修正X、Y方向上的偏置。每个平台都需使用直线光栅以确保位置和速度达到指定精度。高精度光栅反馈使中间掩模和晶圆平台能够串联工作，以执行计划轨迹。

在平板显示器（FPD）制造中，也应用了传统 光刻工艺，但其主要驱动因素是电子设备尺寸愈加微型化。而FPD行业则按照玻璃基板最大物理尺寸进行分类。每一代新产品都可加工出更大基板，因此必须提高生产率，实现单次曝照覆盖更多区域。

无掩模投射系统逐渐流行，是FPD生产中的替代技术，其中包含一种使用空间调制器（SLM）直接在基板上刻画图案的一种并行系统。在这种情况下，由于需要协调成像单元及其下方面积更大的基板移动平台，在空气轴承支撑下的直线电机驱动。在这类制造系统中除了数据之外，还有助于引导成像单元运动视觉识别系统。

为了达到FPD行业要求对准精度，即<±2微米，在编码器分辨率要显著小于1?m。高性能直线光栅和干涉测量激手机适用于此类应用，如雷尼绍VIONiC系列及RLE系列。此外，无掩模直写技术无需昂贵的多个昂贵灯罩，而恰恰限制了最小可实现特征尺寸。近场扫描纳米蚀刻(NSOL)尤其适合这一应用，因为它可以突破分辨率瑞利衍射极限。

通过用激发依次扫过每个孔，可以直接在基板上构建图像。这要求相对于掩摸定位基盘多轴压电平台，同时这些平台需要亚纳米级分辨率位置编码器反馈，因此激发干涉仪型系统更加适合进行调整。而传统的大性能照片可以用于粗调直线电机平台换向。

最后，对未来先进写真术所面临挑战，我们必须考虑紧凑型先进照片解决方案是否能够替代传统干涉测量激手机，以及未来对测量性能需求不会降低的事实。这一切都是为了不断提升现代工业标准，使我们能够创造出越来越复杂而又功能丰富的小型化设备，为人类社会带来新的变化与便利。