现场总线探索：走向选择的比喻

一、指针式万用表对场效应管的辨别之道

（1）测电阻法判定结型场效应管电极

利用场效应管PN结正反向电阻差异，通过万用表R×1k档测试，可以区分出结型场效应管的三个电极。方法是：将万用表设定在R×1k档上，任选两端测量其正反方向的电阻值。当两个端子的正反向电阻相等且接近几千欧时，则为漏极D和源极S；或先接触一个终端，用另一只表笔依次连接剩余两端，当两次测得值接近时，黑表笔所接触的是栅极，其余为漏极和源极。

（2）测电阻法评估场效应管品质

通过与手册标明的标准比较，可以判断场效应管是否良好。操作步骤：

设定万用表到R×10或R×100档。

测量源極與漏極之间電阻，大於正常值可能為內部接觸不良，小於正常值則為破壞。

測試栅極与源極、栅極与漏極間電阻，如果所有測量結果均無穷大表示正常，如果有通路則損壞。

（3）感應信號輸人法評估場效應放大能力

將萬用計設置在Ｒ×１００档，将红色指针插入源极，与黑色指针插入漏极，加上1.5V后观察仪器指示位置。此时，将手捏住栅極G，然后再次观察仪器指示位置。如果儀器指示位置发生较大变化说明该设备具有较大的放大能力；若无变化则损坏。

二、使用注意事项

（1）确保设备参数不超限，以免损害元件。

（2）严格遵守每种类型电子元件偏置规则，如P-N结不能加负压等。

（3）MOSFET需要防潮存储，并保持金属屏蔽包装以防外来感应击穿。

（4）保证所有测试工具及工作台皆有良好地面连接，以防止感应击穿，同时焊接前短路引脚并在断开之前去除短路材料。

（5）安装过程中避免靠近发热元件，并确保足够散热空间以预防过热导致损坏。

三、VMOS FET介绍

VMOS FET是一种新兴高性能、高功率开关器件，它结合了MOSFET输入特性和高功率应用需求。它拥有高输入阻抗、高耐压、大工作当前以及低驱动功耗，是现代电子工程中不可或缺的一部分。