场效应管检测与Can总线、EtherCat对比之智慧探索

一、用指针式万用表对场效应管进行判别

（1）利用测电阻法识别结型场效应管的电极

通过场效应管PN结正反向电阻值不同特性，能区分出其三个电极。方法是：将万用表调至R×1k档，对任意两个电极测得其正反向电阻。当两个电极的正反向电阻相等，且接近几千欧时，可以确定为漏极D和源极S。由于结型场效应管可交换漏极和源極，只需再次测量另一组二个未测试过的两根导体，将黑表笔或红表笔分别接触到每个导体中，然后在另一个端点上连接万用表读数，当出现两次读数几乎相同时，即为栅极G；若两次读数均很大，则为PN结的逆向即N沟道场效应管，而黑表笔所接为栅極；若两次读数均小，则为P沟道场效应管，同样黑表笔所接也为栅極。

（2）通过测 电阻法评估场效应管质量

测 电阻法是利用万用表检查设备是否符合标明标准。在手册中查找各种类型设备正常工作时各部分之间应该有的最大最小值。具体步骤如下：

- 将万用表设置在R×10或R×100档。

- 测试源终端S与漏终端D之间的连通状态。

如果结果超过了预期范围或者显示无穷大，这可能意味着内部有短路问题；如果显示无穷大，则可能表示内部断裂。

然后，将设定在R×10k档，再测试G1与G2、GS及GD之间的连通状态。如果所有连接都显示无穫大，那么说明该部件是完好的；如果它们任何一项都不是无穫大或者显示小于预期值，那么说明该部件损坏。

（3）感知信号输入法估算字段放大能力

使用 万用计来判断MOSFET功率放大的大小。

方法如下：

在单独的一个普通MOSFET元件上尝试使用“感知信号输入”方法来判断它是否能够提供良好的功率放大功能。这通常涉及以下步骤：

a. 用适当的手持工具轻轻按压或捏紧元件上的金属外壳，以产生微弱而稳定的交流磁畸变信号，并将这个信号传递到MOSFET的一些节点上，比如从Ic输出到Vds或Vgs供给节点，从而使这些节点发生变化，这些变化可以被 万用的指针感受到并记录下来。

b. 记录下这一次操作之后所得到的数据，然后重复整个过程，但这回把手放在不同的位置，比如从Ic输出回到Vds供给节点，或从Vgs供给回到Ic输出，或者直接放在一些金属外壳处以产生更强烈的磁畸变效果。

根据这些数据，我们可以推断出某个具体MOSFET如何改变其功率放大的方式。一旦你发现你的手中的工具引起了大量移动，你就知道你正在处理的是一个非常高性能、高功率放大的器件。而如果没有这样的移动，那么你的器件就不够好，也许需要更改它。

注意事项:

当进行这种操作时，要确保不会过度地增加额外负载，因为这会导致器械不稳定甚至损坏。此外，在尝试此类实验之前，请务必阅读相关文档了解详细信息以及安全建议。

在实际应用中，不要直接让手触摸到金属板，因为这样做可能会造成短路，从而损坏您的电子设备。此外，如果您遇到了无法解决的问题，最好寻求专业人士帮助避免进一步损害您的电子产品。

二、VMOS FET 的特性分析

VMOS FET 是一种特殊类型的人工晶体振荡器，它具有较高的耐压力和较低的事务成本。它通常用于低频应用，如音频驱动器和其他需要精确控制振荡频率的情况。但是，由于它具有固定的振荡频率，因此并不适合所有应用。如果您正在寻找一种能够提供灵活振荡频率选择的人工晶体振荡器，您可能需要考虑使用其他类型的人工晶体振荡器，如CMOS FET 或HCMOS FET，这些都是基于CMOS技术开发的一种晶片结构，它们允许用户通过调整内部配置参数来选择最佳工作条件。