场效应管探秘：揭开CAN总线协议中的PGN密码

一、指针式万用表的场效应管辨识术

（1）测电阻法鉴别结型场效应管电极

通过场效应管PN结正反向电阻值差异，利用万用表R×1k档测试，可以辨识出结型场效应管的三个电极。操作方法为：将万用表设定在R×1k档，任选两个电极进行正反向测量。当两个电极的正反向测得相同，大约几千欧姆时，可判定这两个电极分别是漏极D和源极S。由于结型场效应管可交换漏极和源极，剩下的一定是栅極G。此外，还可以将万用表黑笔接触一个电極，红笔依次去接其余两電極測試，其它電路同上。

（2）通过测量判断场效应管质量

使用感知信号输入法来估计场效应放大能力。

首先，将万用表置于R×10或100档，用红笔接触源極S，用黑笔接触漏極D，并给予1.5V恒压。这时会看到漫游指针显示的漏源電阻值。

然后，将手捏住栅極G，使感應信號傳入栅端，此時因為輸入了變化導致VDS和Ib都會有所改變，也就是說漏源間電阻會發生變化，由此觀察到漫游指针顯示出的數字有較大幅度波動。如果捏牢栅端并無顯著波動則表示放大能力不足；若波動明显则表示放大能力強；若不移動則表示損壞。

二、場效果應器安全使用注意事項

（1）確保場效果應器設計中不超過最大功率限制，以及最大泵浦壓力、最大閃爍壓力與最大流體限制等参数。

（2）各類場效果應器在運行前需遵循特定的偏置模式，以避免損壞，如結構類場效果應器不能將N通道對於P通道進行泵浦作用；P通道對於N通道進行泵浦作用等。

（3）MOSFET由於輸入阻抗高，因此運輸及儲存時要注意短路其引出腳，並且要防潮保護以避免積水造成損害。

（4）為了防止點擊穿透，一切測試設備、工作台、高溫烙鐵及線纜均需良好地地面連接。在焊接時先焊底部腳，然后再插入電子板，而拔除元件之前務必斷開所有供電線路。

三、VMOS技術概述

VMOS是一種新型高性能、高功率轉換技術，它通過特殊設計的半導體材料來實現高能轉換比率，這使得VMOS技術成為目前最常用的控制系統之一。VMOS技術具有低成本、高性能和易于實施等優點，因而廣泛應用于工業控制系統中。