Can总线协议探索：场效应管检测的技巧与智慧

一、指针式万用表判别场效应管之法

（1）结型场效应管电极辨识方法

利用场效应管PN结正反向电阻差异，通过测量任意两个电极的正反向电阻，可以区分出漏极D和源极S。若两次测得的电阻值相等且接近几千欧姆，则为漏极D和源极S；若两次测得的电阻值均大或小，则为栅极G。

（2）场效应管质量评估方法

通过测量各个端点之间的电阻值，与手册标明的标准对比，可以判断场效应管是否正常。正常情况下，所有端点之间都应该有较高的无穷大抵抗，而不正常时可能出现短路或断路现象。

（3）感知信号输人法估算放大能力

将万用表R×100档连接至源極S與漏極Ｄ間，用手捏住栅極G，使其产生感應電壓信號。此时，由於場效應管放大的作用，漏源電壓VDS與漏極電流Ib會發生變化，可觀察到表針指示的大幅度摆动。如果摆动幅度較大則表示該場效應管具有較大的放大能力；如果摆动幅度較小或無变化則说明该場效果是坏好的。

二、使用注意事项

（1）确保設計中不超過器件限制，如最大耗散功率、最大偏置压力以及最大輸入/输出電流等。

（2）严格遵守結構對稱性，不允許將P-N結方向錯亂。

（3）MOSFET在運輸時要確保引出腳部短接，以避免外來感應導致擊穿問題。

（4）確保測試設備及工作環境良好，並進行適當地面以保護器件免受損害。

三、VMOSFET技术概述

VMOSFET是一種新型高性能、高功率開關元件，其特點包括高輸入阻抗、高耐壓、高工作電流以及低消耗能量。在選擇及安裝這些元件時需要特別留意其散熱需求，以防止因過熱而導致故障。