一、用指针式万用表对场效应管进行判别

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源極可互换，剩下的電極肯定是栅極G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个電極，另一只表笔依次去接触其余兩個電極測其電阻值。当出现兩次測得的電阻值近似相等時，则黑表笔所接觸的是栅極，其餘兩個電極分別為漏極和源極。如果兩次測出的電阻值均很大，即都是反向結，即都是N沟道場效果應器件；如果两次测出的 电阻値均很小，即都是正向結即都是P沟道場效果應器件。

（2）用测电阻法判别場效果應器件好壞

测量法是通过使用多功能示波器来测试MOSFET是否工作正常的一种方法。在这个过程中，我们首先需要连接一个稳压供给以确保我们的示波器能够提供稳定的参考信号。这可以通过将示波器与一个稳压模块或直流功率供应连接起来来实现。此外，还需要确保我们有足够长的地线，以便从示波器到被测试设备之间不会有任何干扰。

二、.場效果應器件使用注意事项

（1）为了安全使用場效果應器件，在線路設計中不能超過設備耗散功率，大于最大漏源壓力、大于最大栅-源壓力以及大于最大當量流動。

（2）各類型之間在運作時，都要嚴格按要求偏置連接線路中，要遵守區域氣候條款。

3. 在安装MOSFET时，一定要注意不要让它暴露在潮湿环境中，因为水分会导致氧化并破坏绝缘层。

4. MOSFET必须按照正确顺序安装，并且所有引脚都必须紧密连接到主板上，以避免短路。

5. 确保你的MOSFET有足够好的散热，这样才能保持良好的性能。如果你计划运行高负荷，那么你可能需要额外冷却系统。

三.VMOS场效果應器件

VMOS场结果应用简称VMOS或者功率级应用，它是一个新的高能、高频开关元件，它结合了传统金属氧化物半导体技术(MOS)及晶体整流技术，是一种特殊类型用于高频调制应用中的开关元件。它具有较低成本、高速响应时间以及输出放大能力强大的特点，对于各种电子产品尤其是在无线通讯设备中的应用非常广泛。