一、用指针式万用表对场效应管进行判别

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的電極肯定是栅極G。也可以将万用表の黑表笔（红表笔也行）任意接触一个電極，一只表筆依次去接觸其余兩個電極，測其電阻值。当出现两次測得的電阻值近似相等時，则黑表笔所接觸的電極為栅極，其余兩個電極分別為漏極和源極。

（2）用测 电阻法判别場效應管 的好壞

測 電阻法是通過萬用計測量場 效應 管 的 源 交流與漏交流、栅交流與 源 交流、 栅 與 漏 交流及 栅 G1 與 栅 G2 之間 的 電 阻 值 是否 符 合 手 册 標 明 的 電 阻 值 去 判 断 管 的 好 壞。

具体方法：首先将万用计置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源侧与漏侧之间的导通率；然后，将万用计置于Ｒ×１０ｋ档，再测各个部分间导通率，当每项导通率均为无穷大时，则说明该部件正常；若任何一项导通率太小或为短路，则说明部件有问题。

（3）通过感知信号输入法估算場効應器放大能力

具体方法：使用萬能計在R×100档中，用紅色鉛筆連接到來源端，用黑色鉛筆連接到漏端，並將1.5伏特DC輸入至這兩個點之間，此時示波器指針顯示出的導通率。如果手捏著第三個點——栅端，就會看到導通率增加，這就是因為它正在被放大。在這種情況下，如果你的手捏著的是第二個點，你將看到一個不同的讀數，這意味著你現在是在對比不同的二級堆疊。你還可以試著移動您的萬能計的手臂來檢查其他地方是否有類似的變化。

二、場效果元件使用注意事項

（1）为了安全地使用場效果元件，在设计线路时不能超过元件的功耗限制，以及最大允许工作压力和流动性参数。

（2）所有类型的人工合成金属氧化物半导体(Si MOS)都必须严格遵守它们所需偏置连接顺序，以避免损坏设备。

（3）由于MOSFET具有非常高的地感抗力，因此当运输或存储这些设备时，它们必须保持短路，并且应该在金属包装中存储以防止外部感应产生破坏性的影响。

四.VMOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FET)

VMOS FETs简称VMOS，是一种继承了MOSFET优点并添加了更高耐压、高流动性以及低成本特点的一种功率开关器件。这使得VMOS FETs成为一种强大的工具，因为它们能够处理大量当前而不会过热，这对于需要快速关闭的大功率负载来说非常重要。此外，由于它们具有较低的心跳振荡，使得他们更加适合频繁开关操作的情况。这使得VMOS FETs成为许多应用领域中的理想选择，如汽车控制系统、中控锁系统以及各种电子设备。