场效应管检测与使用技巧：揭秘can通讯报文的密码世界

一、用指针式万用表对场效应管进行判别

（1）通过测电阻法识别结型场效应管的电极

利用场效应管PN结正反向电阻值不同特性，能区分出其三个电极。操作方法如下：

首先，将万用表设置在R×1k档上，任选两个电极测量其正、反向电阻。当两相等且为几千欧时，这两个电极分别是漏极D和源极S。也可以将万用表黑表笔接触一个电极，另一只接触剩余两个，再次测量。如果出现两次近似相等，则黑表笔所接为栅极，其余二者分别为漏、源；若两次均很大，为PN结反向，即判定为N沟道VMOSFET；若小则P沟道VMOSFET。

若无结果，可调换黑红表针重试直至确定栅極。

（2）通过测電阻法评估場效應管性能

利用万用表测试场效应管的源漏间、栅源间及栅漏间的阻值，与手册标明值对比判断是否正常工作。

具体步骤：

将万用表设定在R×10或R×100档，以低档位初步排除故障。

测得正常范围内即可考虑其他故障可能，如内部短路或断绝连接。

（3）感知信号输入法估计場効力度

通过感知变化来判断放大能力：

首先，将红线接到S端，黑线接到D端，用1.5V供给，并记录读数。

捏G端观察读数变动，如果较大则说明有较大的放大作用。

二、关于使用注意事项

（1）设计时需遵守最大功率限制，以及最大VDS和ID限制。

（2）严格遵循偏置规则，如P-N结不能逆向施加压力。

（3）MOSFET因高输人阻抗需防静磁击穿，在运输贮藏中要短路引脚并保护屏蔽存储以避免外部感应影响。

三、新兴技术——VMOS FET应用概述

介绍了新型高功率开关器件—V-MOS Field Effect Transistor (VMOST)及其优点：高输入阻抗、高耐压、大工作流速及输出容纳能力。在实际应用中需要注意散热问题，以确保长期稳定运行。