现场总线探索：场效应管的判别与体验

一、用指针式万用表对场效应管进行识别（1）通过测电阻法鉴定结型场效应管的极性根据场效应管PN结正反向电阻值差异，可以辨认出结型场效应管的三个端子。具体方法是：将万用表调至R×1k档，任选两个端子，分别测量其正反向电阻值。当某两个端子的正反向电阻值相等且接近几千欧时，则这两个端子分别是漏极D和源极S。由于结型场效应管可互换漏极和源极，剩下的端子必为栅极G。同样地，也可以将万用表黑表笔随意接触一个端子，再依次去接触其余两端，测量其电阻值。当出现两次测得的电阻值几乎相同时，则黑表笔所接触的端子为栅极，其余两端分别为漏极和源極。如果两次测出的电阻值均很大，则表示PN结处于反向状态，即都是反向电阻，可判定为N沟道场效应管，并判断黑表笔连接的是栅极；若两次测出的电阻小则在正向PN结，即正向電流，可判定為P沟道場效果應器并判断黑表笔连接的是栅極。此外，如果没有上述情况，可以交换黑、红表笔按照此方法进行测试直到确定栅極。

（2）通过測電阻法评估場效果應器质量測電路是一種使用萬用計測場效果應器源極與漏極、栅極與源極、栅極與漏極之間電壓及功率是否符合手冊標明數據來評估場效果應器品質的一種方法。具體步驟如下：首先將萬用計調至Ｒ×１０或Ｒ×100档，用紅色鉛筆測量兩個異常點之間的電壓，這通常落在幾十歐姆到幾千歐姆範圍內（參考手冊中有詳細數據），如果讀取到的電壓大於正常數字可能表示內部導通不良；如果讀取到的電壓無限大則可能表示內部斷線。在這個基礎上再將萬用計調至Ｒ×１０k档，用紅色鉛筆測量三個異常點之間的對開路狀態下能否讀取到無限大的抵抗，如果所有對開路狀態下的讀取結果皆為無限大則該元件為良好；但如果任何一個對開路狀態下能夠讀取到有限大小或零抵抗則該元件已損壞。

（3）通過感應信號輸入法預估場效果應器放大能力通過設置萬用計在R×100档，上方插入紅色鉛筆連接至V+負載，並將白色鉛筆插入底部連接至GND，此時系統會顯示出由V+負載產生的輸出伏安。我們可以通過觀察這些變化來推斷是否存在放大現象。如果我們的手勢操作使得這些變化更加明顯，那麼就意味著元件具有較高放大的能力；而如果沒有任何變化，那麼就代表了元件已經損壞了。

二、關於使用場效果應器的一般注意事項

（1）為了安全地運行場效果應器，在設計線圈時不得超過最大耗散功率，以及最大漏額、高度偏置以及最大流動等參數限制。

（2）每種類型的field-effect transistor都有一定的偏置要求，在進行實際工作時，都需要嚴格遵循field-effect transistor 的結構特性，如結構區分不同type 和mode 的biasing 。

（3）MOSFETs因為它們輸人障力非常高，因此在運輸、儲存過程中要確保引腳短絡，以防止外界感知影響晶片性能尤其是在儲存前要確保MOSFETs不暴露於潮濕環境中並且要避免它們被暴露給塑料盒子的直接曝光，因為塑料盒子的材料可能會干擾晶片性能。此外，在焊接MOSFETS 時也需要特別的小心，因為它們容易受到物理破壞，所以最好使用特殊設計以保護晶片從被物理破壞的情況發生。

總結起來，只有採取適當措施才能確保安全有效地使用field-effect transistors。因此，我們建議各位專業技術人員和愛好者根據自己的實際情況采取切實可行措施，以保障電子產品長期穩定的運作。而VMOS FETs 是後續發展的一個進階版本，它保持了傳統MOSFET 的優點同時增加了一些新功能，使得VMOS FETs 成了更好的選擇。在未來我們將繼續研究VMOS FETs 的更多特性及其在不同領域中的潛力利用。但總體而言，不論是哪一類別Field-Effect Transistor，每個人都需要深入了解他們如何工作並如何最佳地維護他們，以獲得最佳性能。