一、场效应管的判别与使用

使用指针式万用表对场效应管进行判别

(1) 用测电阻法判别结型场效应管的电极

将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

(2) 用感应信号输人法估测场效应管的放大能力

测得漏源电阻RDS，为600Ω，用手捏栅极后，表针指示的电阻RDS为12kΩ，说明该管是好的，并有较大的放大能力。

使用注意事项

(1) 安全使用场效应管，不超过其耗散功率和最大参数限值。

(2) 严格按要求偏置接入电子路中，要遵守场效应管偏置的极性。

(3) MOS场效应管在运输、贮藏中必须短路引出脚，以防止外来感应击穿。

(4) 防止栅极感应击穿，一切测试仪器和工作台必须有良好的接地；焊接时先焊源極，在连入电子路之前保持全部引线端互相短接状态。

三、VMOS（V型槽MOS）场效应管

VMOS（V型槽MOS）FET简称VMOSFET，是继MOSFET之后新发展起来的一种高效、高功率开关器件。它不仅继承了MOSFET输入阻抗高及驱动電流小，还具有耐压高及工作電流大。

四、总结

通过上述方法，我们可以安全有效地使用并判断各类場效果應器件。然而，对於不同類型場效果應器件，其特性可能会有所不同，因此在实际操作中需要根据具体情况进行适当调整。此外，对于功率型場效果應器件，更需注重散热条件，以确保长期稳定可靠地工作。